摘要：使用Fluent流場仿真軟件模擬了電鍍液對硅通孔（TSV）的浸潤過程，討論了TSV深寬比、電鍍液流速、電鍍液表面張力、接觸角以及壓強等因素對TSV浸潤過程的影響。通過對比仿真尋找出能在電鍍之前使電鍍液完全浸潤TSV所有表面的預潤濕處理方法，以防止因潤濕不徹底在TSV底部形成氣泡而導致的有空洞電鍍填充。通過仿真發(fā)現，電鍍液表面張力越小，電鍍液與待電鍍樣片表面的接觸角越小，浸潤過程中電鍍液的流速越慢，浸潤所處環(huán)境的壓強越低，則越有利于電鍍液對TSV的浸潤；且流速為0.002 m/s時即可對深寬比低于或等于130μm:30μm的TSV實現完全浸潤；浸潤環(huán)境壓強低于3000 Pa時即可在流速為0.05 m/s時對深寬比為150μm:50μm的TSV基本實現完全浸潤。當TSV結構的深寬比大于2的時候，沒有經過預潤濕而直接放入電鍍液的TSV結構很難實現無空洞電鍍填充。

相比于傳統(tǒng)的片上系統(tǒng)（SoC）和系統(tǒng)級封裝（SiP）方法，在器件性能、互連密度、異質集成化以及制造成本方面，三維疊層封裝（3D-IC）有很多的潛在優(yōu)勢。其中，實現了芯片與芯片之間最短互連的銅填充硅通孔（Through Silicon Via，TSV）技術是三維硅基封裝工藝的核心。為了能夠得到更高密度更好功能的封裝，對小直徑高深寬比TSV的需要變得越來越迫切。已有很多研究致力于TSV填充這一領域，電鍍銅填充TSV易于操作并且成本較低。使用這種方法實現高質量TSV填充的標志是無空洞填充、最小的表面銅覆蓋沉積量和相對較短的電鍍時間。其中，完成TSV無空洞快速填充的一個重要因素是在電鍍之前，實現電鍍液對TSV整個表面的充分潤濕。目前，對于電鍍填充TSV的研究主要集中在電鍍過程中的優(yōu)化，如添加劑的使用、電流密度的控制等，有關TSV浸潤條件以及相關影響因素的研究報道尚不多見。而TSV的充分潤濕是實現高質量TSV填充的前提，因此，本文的目的是通過模擬仿真電鍍液對TSV的潤濕過程，尋找有效的方法使電鍍液能夠浸潤TSV所有表面，尤其是高深寬比TSV的底部表面，確保實現無空洞電鍍填充。影響浸潤程度的因素主要有：電鍍液的表面張力和接觸角，浸潤過程中電鍍液的流速，浸潤TSV所處環(huán)境的壓強，TSV的深寬比，及TSV的形狀等。

本文主要針對上述前四個因素，用Fluent軟件進行了仿真模擬，探討一種可實現并易于操作的浸潤方法。

1 Fluent軟件的建模

按照實際電鍍液及樣片的情況，在流體仿真軟件中進行建模。主要分為2個部分：前處理軟件Gambit中對平面模型的建立，Fluent中對流場進行具體解算。本文截取TSV軸對稱結構的中心軸截面，建立二維分析模型，直接反應實際TSV的浸潤過程。同時，基于對比實驗考慮，忽略電鍍液組分與被浸潤表面化學反應造成的界面影響，并直接采用與電鍍液物理性質基本相同的水作為液相組分。氣相組分中采用理想不可壓氣體假設模擬正常大氣壓下的操作環(huán)境。建立的Fluent分析模型如圖1所示。其中較小的矩形塊代表TSV，4~8代表被潤濕表面。初始情況下，所有被模擬區(qū)域為氣相區(qū)域，之后液相從邊界3以特定流速進入（除流速討論單元，其余均設置為0.05 m/s），逐步潤濕全部或局部表面，直至從邊界1流出。具體設置為邊界1為壓力出口，2為對稱邊界，3為速度人口，4、5、6、7、8均為壁面邊界條件。表面張力和接觸角均采用實際測量值0.06 N/m，64°；重力加速度為9.81 m/s2，方向為豎直向下。

圖1說明：1為壓力出口邊界，2為對稱邊界，3為速度人口，4~8均為壁面邊界條件。

2 TSV深寬比的影響

深寬比為150μm:75μm和150μm:50μm的TSV浸潤仿真結果分別如圖2的(a)(b)所示，前者可以完全浸潤，后者在TSV底部形成氣泡。模擬結果表明如果不進行充分潤濕，深寬比大于2:1的TSV就會因不能完整浸潤而在靠近TSV底部的位置形成部分表面緊貼TSV側壁的大氣泡，且該氣泡在之后的電鍍過程中難以排出，導致電鍍液無法接觸到TSV底部附近的位置，進而形成較大空洞。

按照同樣設置仿真了深寬比為130μm:30μm和120μm:20μm的情況，結果均為不可完全浸潤。